10.3969/j.issn.1001-8972.2011.06.032
光照因素在光热退火法制备多晶硅中的影响分析
为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明光照时间、光照强度都对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波频率的影响作用更大.
光热退火、多晶硅薄膜、光照因素
O48;TN3
2011-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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