亚微米尺寸GaAs MESFET器件输运性质的蒙特卡罗模拟

摘要：

根据半经典输运模型,考虑了GaAs的非抛物性能带结构和主要的散射机制,采用蒙特卡罗模拟方法计算了亚微米尺寸GaAs MESFET器件的输运性质和电流电压特性,分析了器件中电子密度、电场和迁移率的不均匀分布,计算了不同尺寸栅长下的电子漂移速度和漏电流,分析了栅长尺寸对电子漂移速度和漏电流的影响.随着栅长尺寸的增加,栅下沟道的电子漂移速度减小,而且漏电流呈线性递减.

关键词：GaAs MESFET、亚微米、输运性质、蒙特卡罗模拟

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金60376014

在线出版日期：2008-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：310-312,314