Y2 O3/Si 界面电学特性研究

摘要：

为了研究不同退火温度对 Y2 O3/Si 界面电学特性的影响,对 Y2 O3/Si 界面做快速热退火处理。用 C-V 和 I-V 方法对Al/Y2 O3/Si/Al MOS 电容进行电学特性测试。结果表明：界面态密度随着退火温度升高而减小,此外,经400℃退火后,MOS电容有最大的击穿场强(5 MV/cm),这是由于在400℃退火条件下陷阱密度减小,界面特性改善；由于 Y2 O3的结晶温度低,在500℃下 Y2 O3结晶,形成漏电路径,导致漏电流增加,击穿场强减小,在600℃时击穿电场仅有1.5 MV/cm；由以上结果可以得出,随着退火温度的增加,界面陷阱密度会减小,但高温(>500℃)会使 Y2 O3结晶,导致漏电流增大,击穿电场减小。

关键词：Y2O3/Si界面、退火、界面态密度、击穿电场

所属期刊栏目：11

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110203110010

在线出版日期：2016-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：513-515