10.3969/j.issn.2095-2783.2016.02.005
基于 LPIND 的硅基等离子天线
首先介绍了 LPIND(Lateral Positive‐Intrinsic‐Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会降低本征区载流子浓度,通过改变埋层材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应。其次给出了L PIND本征区电导率的仿真结果,完成了基于L PIND的半波偶极子天线的设计与仿真,仿真结果显示,本征区电导率和硅衬底厚度会影响天线的回波损耗(S11)。最后总结了降低LPIND静态功耗的有效设计方法。
LPIND、自加热效应、硅基等离子天线、低功耗
TN826(无线电设备、电信设备)
国家自然科学基金资助项目61401237;天津市自然科学基金资助项目13JCQNJC01200;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20130031120034;国家级大学生创新创业训练计划资助项目201410055056
2016-06-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
134-138