金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线

摘要：

采用金属辅助化学刻蚀法（HF／AgNO3溶液）在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列，深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机理，并研究了单晶硅表面纳米线阵列的光学性质。通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行了表征，探讨了金属辅助化学刻蚀的化学反应机理，研究了反应时间、反应温度等参数对硅纳米线形貌的影响，同时对硅表面纳米线阵列的反射率进行了测试。结果表明，硅表面纳米线阵列对可见光有很好的减反射性能，并且发现通过改变溶液浓度、延长反应时间及升高反应温度等，可以有效调节硅纳米线阵列的抗反射性能。这是由于表面引入的硅纳米线结构，不仅可以增加入射光光程，还可以连续调节空气与硅基底之间的空间有效折射率，起到减反的作用。研究表明，在相同刻蚀溶液浓度下，反应温度50℃时所获得硅纳米线阵列的减反射性能为最优。

关键词：硅纳米线、金属辅助化学刻蚀法、光学性质、反射率

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11304132，11304133，61376068；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120211120003，20130211120009；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目lzujbky-2013-36，lzujbky-2014-30

在线出版日期：2015-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2080-2082,2089