多晶硅冷却过程中入口流速及隔热底板运动对硅锭内热应力影响

摘要：

为了提高大尺寸多晶硅锭质量，本文对多晶硅定向凝固系统冷却过程进行瞬态数值模拟，研究了不同冷却时刻炉体内温度场、流场及硅锭内应力场瞬态变化，隔热底板位移按直线、正弦及抛物线规律变化时，硅锭内部最大米塞斯力及无位错面积百分比随时间的变化，以及不同入口气体速率对硅锭内部最大米塞斯力的影响。计算结果表明：隔热底板位移按正弦规律变化更有助于提高多晶硅锭质量；冷却结束时硅锭内最大米塞斯力随入口流速的增加而增大；冷却初始阶段，增大入口气体速率有利于降低硅锭内部最大米塞斯力。

关键词：多晶硅、冷却过程、位错密度、米塞斯力

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110142120065

在线出版日期：2015-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1329-1333