宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)材料.通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能.在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1xGex:H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77％的μc-Si1 Gex:H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300 nm,此时电池效率达到3.16％.

关键词：微晶硅锗、离子轰击、长波响应、太阳电池

所属期刊栏目：10

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划资助项目2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120031120044;天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目12JCQNJC01000;国家自然科学基金资助项目61377031

在线出版日期：2015-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：429-432