场板结构对AlGaN／GaN HFET电场分布的影响

摘要：

场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应，降低尖峰电场峰值，从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具，构建具有场板结构的HFET器件，研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响，归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。

关键词：氮化镓、场板结构、击穿电压

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51177175，61274039；国家重点基础研究发展计划973计划资助项目2010CB923200，2011CB301903；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110171110021；国家国际科技合作专项项目2012DFG52260；国家高技术研究发展计划863计划资助项目2011AA03A101

在线出版日期：2014-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：739-741