10.3969/j.issn.2095-2783.2007.05.001
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光.
ZnO、p型掺杂、发光二极管
2
TN304;O484.1(半导体技术)
2008-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
317-319
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10.3969/j.issn.2095-2783.2007.05.001
ZnO、p型掺杂、发光二极管
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TN304;O484.1(半导体技术)
2008-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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