星载L波段宽带低噪声放大器芯片设计

摘要：

基于0.25μm砷化镓赝品高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构,降低了芯片的工作电流,节省了宝贵的卫星能量资源;通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度,提高了卫星通信质量;恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小,芯片维持在稳定的工作状态下.测试结果表明:该放大器工作电流为35 mA,在频率范围0.9～1.8 GHz内,增益大于33 dB,噪声系数小于0.6dB,增益平坦度小于0.5dB;芯片尺寸为2.0mm×1.3mm,满足航天产品的高性能小型化应用需求.

关键词：低噪声放大器、单片微波集成电路、负反馈、宽带、噪声系数、接收机

所属期刊栏目：40

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：空间微波技术重点实验室基金重点项目2018SSFNKLSMT-10

在线出版日期：2020-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-24