存储器抗辐射加固的矩阵纠错码研究

摘要：

为了纠正辐射环境中的高能粒子对存储器造成的多位翻转,研究了一种矩阵纠错码电路,对存储器进行有效的抗辐射加固.提出了一种矩形循环校验法构造校验位,并设计了纠错码的译码算法和相应的译码电路.根据校验位构造了检测位.对数据的输入顺序进行排列,确保了冗余位发生翻转时纠错码电路仍可以正常工作.在16位宽的码字中,所研究的矩阵纠错码可以纠正数据宽度为5位的多位翻转.同目前已知的二维纠错码在相同条件下进行比较,其获得了更高的平均失效时间.

关键词：存储器、抗辐射加固、可靠性、纠错码、矩阵纠错码、多位翻转

所属期刊栏目：39

分类号：T N431 2.

资助基金：四川省科技计划项目2017JY0050;气动噪声控制重点实验室开放课题ANCL20170304

在线出版日期：2019-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：67-72,86