我国半导体材料研究及产业化获新突破
由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5～ 0.6μ m IC用 8英寸硅单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaAs单晶新技术研究”，日前通过了国家有关部门组织的专家验收。该成果不仅填补了我国在大直径硅抛光片制造领域的空白，而且为 8英寸硅抛光片的产业化提供了关键技术和设计依据，现已应用在“直径 200m m硅单晶抛光片产业化示范工程”上。目前，直径 8英寸硅片的市场占有率已超过50％，随着新的半导体技术在 8英寸硅抛光片上的实现，其作为主流产品的应用期限将进一步延长，显示出强劲的生命力。
半导体技术、材料研究、硅抛光片、硅单晶抛光片、英寸、气压控制直拉法、大直径、产业化、新技术研究、市场占有率、主流产品、制造领域、应用、设计依据、金属研究、关键技术、部门组织、半绝缘、专家、验收
F124.3(中国经济)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共1页
60
