高频重复经颅磁刺激对大鼠脑梗死后学习记忆功能及pCREB、bcl-2、bax表达的影响

摘要：

目的:研究高频重复经颅磁刺激(rTMS)对脑梗死大鼠学习记忆的影响,并探讨其可能机制.方法:采用大脑中动脉栓塞再灌注方法建立脑梗死模型,给予7d的20Hz重复经颅磁刺激治疗,采用Morris水迷宫评定大鼠学习记忆功能变化,并观察磁刺激组与模型组、给予阻滞剂H89与给予生理盐水(NS)组间蛋白激酶A-环磷酸腺苷反应元件结合蛋白(pCREB)、B细胞淋巴瘤/白血病基因2(bcl-2)、bcl基因相关蛋白(bax)的表达变化.结果:①模型组大鼠与正常组相比逃避潜伏期明显延长(P=0.001),磁刺激组逃避潜伏期较模型组大鼠明显缩短(P=0.017).②磁刺激组的pCREB和bcl-2表达较模型组增加(P＜0.01),bax则较模型组减少(P＜0.01),bcl-2与bax 的比值磁刺激组大于模型组(P＜0.01).rTMS+H89组的pCREB和bcl-2表达较rTMS+NS组降低(P＜0.01),bax的表达则较rTMS+NS组增加(P＜0.01),rTMS+H89组bcl-2与bax的比值较rTMS+NS组亦降低(P＜0.05).结论:高频重复经颅磁刺激能够改善脑缺血后学习记忆功能并促进海马神经元的存活,抑制凋亡；磁刺激促进脑缺血后海马神经元存活的作用可能通过影响p-CREB通路的表达来实现.

关键词：脑梗死、重复经颅磁刺激、学习记忆、蛋白激酶A-环磷酸腺苷反应元件结合蛋白、凋亡

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分类号：R743.3;R493(神经病学与精神病学)

资助基金：教育部高等学校博士学科点专项科研基金20090142110013;国家自然科学基金81071601;国家自然科学基金81171858

在线出版日期：2013-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1087-1092