10.3969/j.issn.1006-9771.2011.04.012
电刺激大鼠上矢状窦旁硬脑膜后血浆降钙素基因相关肽和P物质的变化
目的观察电刺激上矢状窦旁硬脑膜对大鼠血浆降钙素基因相关肽(CGRP)和P物质浓度的影响.方法 13只大鼠随机分为对照组(n=6)和电刺激组(n=7).对照组行假刺激,电刺激组以20 Hz、4 mA和250μs的方波电流刺激上矢状窦旁硬脑膜,使用放射免疫法比较血浆CGRP和P物质的浓度.结果对照组与电刺激组的血浆CGRP浓度相比有显著性差异(50.60±7.16 pg/ml vs 42.20±4.82 pg/ml,P=0.029),而血浆P物质浓度相比无显著性差异(308.59±43.07 pg/ml vs 264.60±60.28pg/ml,P=0.165).结论电刺激上矢状窦旁硬脑膜能够降低大鼠血浆CGRP浓度,而P物质浓度无明显变化.
电刺激、上矢状窦、降钙素基因相关肽、P物质、大鼠
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R245;R338(中医临床学)
2011-09-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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