10.3969/j.issn.1004-132X.2022.16.012
KH2 PO4晶体已加工表面频率特征对亚表层温度场的影响
为了更加准确地分析表面形貌对KH2 PO4(KDP)晶体元件激光损伤和使用性能的影响,通过功率谱密度和连续小波变换对KDP晶体已加工表面存在的实际频率特征进行提取和重构.利用波动光学理论分析经入射波长1.064μm、功率20 MW/μm2的激光束照射1 ns后,表面频率特征对KDP晶体亚表层光场及温度场的影响.结果表明,当表面频率特征的波长越接近入射光波长1.064μm,KDP晶体亚表层的光场畸变现象越严重,会造成局部聚焦,温度越高;当波长超过20μm时,在振幅不变的情况下,最高温度随着波长的增加基本不变.通过切削实验获得的KDP晶体已加工表面上明显存在的波长分别为14μm、50μm和140μm,对KDP晶体亚表层造成的温升分别为56 K、22 K和12 K.当波长相同时,KDP晶体的最高温度与表面频率幅值成线性关系.随着表面频率波长的增加,温度最高点的位置向KDP晶体内部延伸.
已加工表面、波长、振幅、KDP晶体、光场、温度场
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TG161.14(金属学与热处理)
江苏省六大人才高峰计划;江苏省精密与微细制造技术重点实验室开放基金项目
2022-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
1983-1991