10.3969/j.issn.1004-132X.2022.15.001
SiCf/SiC陶瓷基复合材料单颗磨粒磨削试验研究
对碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)进行了单颗磨粒磨削试验,研究了脆性去除模式下磨削中侧边崩碎规律.研究结果表明:磨削SiC基体时,基体内裂纹易引发磨削中大块侧边崩碎;磨削纤维时,侧边崩碎宽度随纤维与磨削方向夹角的增大而增大;磨削90°纤维时,提高磨削速度可减小侧边崩碎程度;以50 m/s和90 m/s的磨削速度磨削造成的侧边崩碎宽度比以20 m/s磨削时的侧边崩碎宽度分别小30%和60%;在试验参数范围内,增大磨削用量不会增大磨削中侧边崩碎程度,但可以提高材料去除率.
陶瓷基复合材料、磨削、侧边崩碎、纤维断裂
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TP182(自动化基础理论)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国博士后科学基金特别资助项目;中国博士后科学基金
2022-08-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1765-1771