SiCf/SiC陶瓷基复合材料单颗磨粒磨削试验研究

摘要：

对碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)进行了单颗磨粒磨削试验,研究了脆性去除模式下磨削中侧边崩碎规律.研究结果表明:磨削SiC基体时,基体内裂纹易引发磨削中大块侧边崩碎;磨削纤维时,侧边崩碎宽度随纤维与磨削方向夹角的增大而增大;磨削90°纤维时,提高磨削速度可减小侧边崩碎程度;以50 m/s和90 m/s的磨削速度磨削造成的侧边崩碎宽度比以20 m/s磨削时的侧边崩碎宽度分别小30％和60％;在试验参数范围内,增大磨削用量不会增大磨削中侧边崩碎程度,但可以提高材料去除率.

关键词：陶瓷基复合材料、磨削、侧边崩碎、纤维断裂

所属期刊栏目：33

分类号：TP182(自动化基础理论)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国博士后科学基金特别资助项目;中国博士后科学基金

在线出版日期：2022-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1765-1771