10.3969/j.issn.1004-132X.2021.19.008
单颗磨粒超声辅助磨削SiC陶瓷材料去除机理
为研究不同磨削速度下超声振动作用对SiC陶瓷磨削过程中材料去除机理的影响,采用钎焊单颗金刚石磨粒工具,基于连续变磨削深度试验方法,在SiC陶瓷抛光表面开展了超声辅助磨削与普通磨削对比试验.结果表明,随着单颗磨粒磨削深度的逐渐增大,SiC陶瓷超声辅助磨削与普通磨削时的材料去除机理均经历了"塑性去除→脆-塑转变→大尺寸脆性断裂"的变化;在磨削速度为1m/s时,相比于普通磨削,单颗磨粒超声辅助磨削可显著增大SiC陶瓷的脆-塑转变临界切厚及相应的磨削划痕横截面积,并减小切向磨削力与磨削比能;而随着磨削速度的增大,超声辅助磨削与普通磨削在单颗磨粒磨削划痕尺寸、磨削力之间的差异逐渐减弱.
单颗磨粒;超声辅助磨削;SiC陶瓷;磨削划痕形貌;材料去除机理
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TG580(金属切削加工及机床)
国家自然科学基金51805231,51905234
2021-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
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