单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

摘要：

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求,提出了电助光催化抛光SiC的新方法.研究了光催化剂种类及其p H值对抛光液氧化性和抛光效果的影响,讨论了材料的去除机理.结果表明:以p25型TiO2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV,材料去除率为1.18μm/h,表面粗糙度Ra=0.218 nm;抛光后SiC表面氧化产物中,Si-C-O、Si-O和Si4 C4 O4的含量明显增加,SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式.

关键词：SiC、电助光催化抛光、TiO2、抛光液、去除机理

所属期刊栏目：31

分类号：TH161

资助基金：国家自然科学基金资助项目;中国博士后科学基金资助项目

在线出版日期：2020-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：403-409