单晶硅同质互抛实验研究

摘要：

以材料的去除率和表面粗糙度为评价指标设计对比实验,验证了硬脆材料互抛抛光的可行性,得到了抛光盘转速对硬脆材料互抛的影响趋势和大小.实验结果表明:当抛光压力为48265 Pa(7 psi)、抛光盘转速为70 r/min时,自配抛光液互抛的材料去除率为672.1 nm/min,表面粗糙度为4.9 nm,与传统化学机械抛光方式的抛光效果相近,验证了硬脆材料同质互抛方式是完全可行的;互抛抛光液中可不添加磨料,这改进了传统抛光液的成分;采用抛光液互抛时,材料去除率随着抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,硅片的表面粗糙度随着抛光盘转速的增大呈先减小后增大的趋势.

关键词：硅片、硬脆材料、互抛、化学机械抛光、对比实验、抛光效果

所属期刊栏目：30

分类号：TH161.14

资助基金：国家自然科学基金资助项目51175228

在线出版日期：2019-12-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2773-2777