单晶铜纳米压印亚表层晶体结构演变机理

摘要：

为研究纳米压印中单晶铜亚表层晶体结构演变机理,采用分子动力学方法构建纳米压印仿真模型并模拟单晶铜纳米压印过程.采用改进的中心对称参数法分析单晶铜试件位错形核过程及缺陷演化机理,发现纳米压印时位错缺陷在压头下方形核并沿{111}滑移系向试件内部扩展形成堆垛层错,试件表面有原子台阶残留,试件亚表面损伤层存在V形位错等典型缺陷.针对位错形核区域及位错扩展区域材料晶体结构状态的识别,采用球谐函数法对模拟结果进行分析.由分析结果可知:位错形核区域材料晶体结构由FCC转变为排列更为紧密的HCP和ICO结构;位错扩展区域材料主要转变为DFCC结构.

关键词：纳米压印、球谐函数、亚表层损伤、位错形核、晶体结构演变

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分类号：TP391.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51705202;江苏省自然科学基金资助项目BK20170191

在线出版日期：2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1959-1966