单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工

摘要：

基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究.研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87％以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54％,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定.通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著.

关键词：单晶SiC、集群磁流变、平面抛光、表面粗糙度

所属期刊栏目：24

分类号：TG749;TH161(刀具、磨料、磨具、夹具、模具和手工具)

资助基金：国家自然科学基金资助项目U1034006,50875050

在线出版日期：2014-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2495-2499