进电端放电法对单晶硅电火花加工接触电阻的影响研究

摘要：

为改善高电阻率硅的电火花线切割可加工性,提出了一种在半导体电镀金属薄膜表面放电的方法(简称进电端放电法).首先在硅(电阻率为2.1Ω·cm)表面电镀一层铜膜,然后利用铜刷作电极,在铜膜表面进行放电,利用放电形成的高温在硅表面形成重掺杂层,以降低接触势垒.分析了表面重掺杂层的形成机理,制备了硅试件并得到了伏安曲线,结果表明,试件的进电端接触电阻明显减小.最后采用进电端放电法对电阻率为2.1Ω·cm、直径为100mm的硅锭进行电火花线切割试验,加工效率可由12mm2/min提高至30mm2/min.

关键词：电火花加工、硅、接触势垒、接触电阻

所属期刊栏目：24

分类号：TG661;O471.5

资助基金：国家自然科学基金资助项目50975142;江苏省博士后科学基金资助项目1002009C;南京航空航天大学科研启动基金

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1796-1799