集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展

摘要：

大马士革(Damascene)结构的Cu/低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战.电化学机械平整化(ECMP)作为化学机械平整化(CMP)的一种拓展加工手段,可对传统CMP技术进行补偿,可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化.比较了ECMP和CMP 的特点,对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述.指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦电化学理论,只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势、摩擦磨损、化学反应三者间的相互作用,才能揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理.

关键词：电化学机械平整化(ECMP)、低k介质、Cu大马士革互连、摩擦电化学

所属期刊栏目：19

分类号：TH117.2;TG115.5

在线出版日期：2008-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：498-503