等离子数字化熔射成形SOFC核心部件PEN及复阻抗分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1004-132x.2007.15.023

等离子数字化熔射成形SOFC核心部件PEN及复阻抗分析

引用
采用等离子熔射与机器人数字化成形技术相结合的方法制备SOFC瓦楞式核心部件PEN.基于交流复阻抗技术对制备的复合电极的电导率进行分析,并与流延法和等离子熔射结合制备的试样对比;采用经典的Arrhenius公式对试样电导率与温度的关系进行定量分析.结果表明,两种工艺制备的试样的电导率均随温度的升高而增大,呈现出明显的NTC效应;与流延和等离子熔射复合的方法相比,等离子数字化熔射成形工艺因为其连续喷涂成形的特点,可以大幅度降低界面接触电阻,提高试样的电导率.

等离子熔射、数字化成形、瓦楞式PEN、交流复阻抗

18

TB33(工程材料学)

国家自然科学基金50475134;50675081

2007-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1855-1858

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

中国机械工程

1004-132X

42-1294/TH

18

2007,18(15)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn