不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

摘要：

测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.

关键词：微机械系统、残余应力、薄膜、牺牲层、氮化硅

所属期刊栏目：16

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：北京大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：449-450,453