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10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.157

UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响

引用
基于UV-LIGA技术采用SU-8光刻胶制备了高深宽比微结构,最高深宽比达20:1.研究了改变光源的波长和曝光量对SU-8光刻胶成形的影响,揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律.从聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出了合理的解释,并基于该变化规律提出了一种新的消除微结构倒角的方法.

UV-LIGA技术、SU-8胶、高深宽比微结构、倒角

16

TN23(光电子技术、激光技术)

国家自然科学基金2004AA404260

2005-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

437-440

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中国机械工程

1004-132X

42-1294/TH

16

2005,16(z1)

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