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10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.154

一种适用于薄膜结构的静电键合方法

引用
针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破裂的问题,大大提高了成品率.

MEMS、静电键合、敏感薄膜、局部电场屏蔽

16

TN305.94(半导体技术)

北京市教委共建项目KM200310005009

2005-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

430-431

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中国机械工程

1004-132X

42-1294/TH

16

2005,16(z1)

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