10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.137
P+膜制备工艺研究
通过对浓硼扩散工艺的介绍,讨论了沉积过程中的几个重要参数,并针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,提出了可行的解决方法.
扩散、P+膜、硼硅玻璃、自停止腐蚀
16
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2005-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
387-388
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10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.137
扩散、P+膜、硼硅玻璃、自停止腐蚀
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2005-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
387-388
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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