集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究

摘要：

采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同.

关键词：硅纳米线、微电子机械系统、表面态、光生载流子

所属期刊栏目：16

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：365-367