MEMS与SOI CMOS单片集成的模拟研究

摘要：

基于MEMS技术和SOI CMOS技术提出了一个包含放大电路与悬臂梁式压阻传感器的集成化方案.分析了半耗尽SOI CMOS和全耗尽SOI CMOS的器件性能,设计了特征尺寸为3μm的半耗尽SOI CMOS模拟放大电路和悬臂梁式压阻传感器的单片集成工艺.通过对器件、电路和工艺的模拟与仿真,证明了本集成化方案的可行性.

关键词：SOI、半耗尽、悬臂梁、集成化

所属期刊栏目：16

分类号：TN405;TP391(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目90207013

在线出版日期：2005-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：315-317