基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

摘要：

通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103～154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.

关键词：GMR、GMR传感器、退火、矫顽力

所属期刊栏目：16

分类号：TM936

在线出版日期：2005-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：127-129