硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究

摘要：

采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件的可靠性和成品率.

关键词：残余应力、基底曲率法、微声学器件、铁电

所属期刊栏目：16

分类号：TB302.5;TB43(工程材料学)

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1289-1291