半导体含硅废水形成动态膜的影响因素研究

摘要：

采用半导体含硅废水为成膜液,以平板微滤膜为基膜形成动态膜,考察了含硅废水浓度、曝气量、过滤速度和基膜对动态膜形成的影响.结果表明:高浓度含硅废水形成动态膜所需时间短,仅需50 min.曝气量大则不易形成动态膜,膜孔堵塞严重；曝气量小易形成动态膜,但动态膜不牢固,易脱落；曝气量适当时所形成的动态膜较薄,过滤阻力小,跨膜压力上升缓慢,最佳曝气量为10 L/min.过滤速度较高时易造成硅颗粒堵塞基膜膜孔,跨膜压力上升较快,最高滤速取0.6m/d.此外,在进水硅颗粒粒径分布一定的条件下,采用Japan-0.1和LK-10基膜可形成过滤性能好的动态膜,且动态膜有利于防止基膜膜孔阻塞,对基膜具有很好的保护作用,但PEIER基膜形成动态膜的过滤性能很差,不宜用作回收硅颗粒的动态膜的基膜.

关键词：半导体含硅废水、平板膜、微滤、动态膜

所属期刊栏目：29

分类号：X703(一般性问题)

在线出版日期：2013-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：90-93