拓扑半金属MoTe1.5S0.5与MoTe2电子结构和光学性质的比较研究

摘要：

目的:研究拓扑半金属独特的电子结构和新奇的物理特性.方法:根据第一性原理计算方法、利用MS软件的CASTEP模块对MoTe1.5S0.5与MoTe2分别建模,利用VASP软件包分别计算了掺S前后体系的电子结构和光学性质.结果:1)掺S后电子结构变化:能带上G点附近导带下移,带隙变小,分析得出这是由于S原子代替Te原子引入化学压力所致.2)掺S后光学性质变化:MoTe2掺S后除损失函数峰值明显增加、变窄和红移,其反射率、吸收率、光导率的实部和虚部均略有下降.进一步分析反射率和和光电导率发现:MoTe1.5 S0.5的等离子频率变为2500 cm-1;"平坦的光电导率"变为2000～3000 cm-1.结论:MoTe2掺S引入化学压力可在一定程度上调控MoTe2的电子结构和光学性质,这对从电子结构和光学性质角度理解拓扑半金属有参考价值.

关键词：拓扑半金属、掺杂、光学性质、电子结构

所属期刊栏目：32

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金No.61376094

在线出版日期：2021-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：267-273