低纹波超辐射发光二极管的增透膜研制
纹波系数是超辐射发光二极管(SLD)的关键指标,增透薄膜被用于降低纹波系数.基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用,然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳,使用时域有限差分方法进行分析,发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题.优化了增透膜设计,优化后1°~10°腔面倾角内的反射率降低,降幅最高达82%,其中双层增透膜反射率低于0.05%.采用反应磁控溅射工艺镀膜,并验证了优化设计效果.经过增透膜优化,光谱纹波得到有效抑制,SLD管芯纹波系数和调制系数分别仅为0.019 dB和2.30×10-3,降幅超过50%,在100 mA的驱动电流下仍保持10mW的光功率.所研制的增透膜能够有效减小腔面反射率,利用该增透膜制备了低纹波SLD.研究结果为SLD及其他半导体光电子器件的光学薄膜研制提供了参考.
薄膜、超辐射发光二极管、增透膜、倾斜腔面、优化设计、纹波系数
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TN364.2(半导体技术)
国家电网公司科技项目5700-202058482A-0-0-00
2023-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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