低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景

摘要：

现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展.其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料.介绍了当前三种典型的低维铟基阱-点复合量子结构材料及其光学性能,重点分析了基于InGaAs材料的富铟团簇自组装阱-点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能,详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景.

关键词：激光器、半导体激光器、InGaAs材料、低维复合量子结构、富铟团簇效应、光学增益

所属期刊栏目：49

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61874117

在线出版日期：2022-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共18页

页码：70-87