具有Cr阻挡层的GaAs欧姆接触工艺研究

摘要：

研究了金属Cr作为扩散阻挡层的GaAs欧姆接触技术,设计了 Au/Cr/AuGe/Ni和Ti/Cr/Au两种欧姆接触合金系统,并对Cr阻挡层厚度与退火条件进行了优化.研究结果表明:两种合金系统均可在380～480℃退火条件下形成欧姆接触,且Au/Cr/AuGe/Ni系统在420℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为2.63×10-6 Ω·cm2,相较于在相同基底上镀制的Au/Ni/AuGe/Ni合金系统比接触电阻率的最低值1.54×10-5Ω·cm2降低了近一个数量级,且具有更好的表面形貌;Ti/Cr/Au系统在440℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为6.99×10-7Ω·cm2,且在420～460℃相对较宽的温度范围内均可获得低的比接触电阻率.

关键词：材料、半导体器件、欧姆接触、扩散阻挡层、合金化、比接触电阻率

所属期刊栏目：49

分类号：TN305.93(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;吉林省科技发展计划项目

在线出版日期：2022-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：37-46