Ag-Pd纳米合金低温连接及其抗电化学迁移性能

摘要：

纳米银焊膏能够实现低温连接、高温服役,同时具有优异的导电、导热性能,其缺点是非常容易发生电化学迁移.本文采用脉冲激光沉积成功制备了完全互溶的Ag-10％ Pd纳米合金,并将其用于SiC芯片的封装互连,旨在提高纳米颗粒烧结层的抗电化学迁移能力,同时保持纳米颗粒的低温烧结特性.研究表明,采用Ag-10％ Pd纳米合金烧结连接SiC芯片及镀银的直接覆铜基板(DBC),在250℃的温度下可以实现剪切强度为21.89 MPa的接头,达到了美国军标MIL-STD-883K的要求(7.8 MPa).Ag-Pd纳米合金抗电化学迁移能力是同等条件下纯银的4.3倍.在Ag-Pd纳米合金中,银离子的析出受到PdO的阻碍,迁移产物呈云雾状分布,有效延长了电极的短路时间.脉冲激光沉积Ag Pd纳米合金的烧结避免了传统银、钯颗粒直接混合方法后续高达850℃的合金化过程.Ag-Pd纳米合金作为封装互连材料是实现低温连接的有效保证,并有望为功率电子器件的高可靠性封装提供解决方案.

关键词：激光技术、纳米合金、低温烧结、电子封装、电化学迁移

所属期刊栏目：48

分类号：TH142.2

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：161-168