高功率高可靠性9XX nm激光二极管

摘要：

为了提高半导体激光二极管的输出功率和可靠性,通过在有源区两侧势垒层和波导层之间引入高禁带宽度的GaAsP,抑制有源区载流子的泄漏,极大地改善了器件的性能.研究结果表明:在10～40℃温度范围内器件特征温度从原来的150 K提高至197.37 K(-75.76℃),峰值波长随温度的漂移系数为0.207 nm/℃;条宽200μm、腔长2000 μm的9XX nm激光二极管可靠性工作的最大输出功率高达14.4 W;器件在注入电流为7A时取得71.8％的最大电光转换效率,斜率效率为1.21 W/A.器件在恒定电流下的加速老化测试显示激光二极管可靠性工作寿命达2000 h以上.

关键词：激光光学、激光二极管、载流子泄漏、特征温度、波长漂移、寿命

所属期刊栏目：47

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金41414010302

在线出版日期：2020-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：53-57