多晶硅表面皮秒激光阵列孔绒面制备
为了减小多晶硅表面的反射率,采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面,分析了激光参数对制绒深度的作用机理,优选出实验参数:激光功率为15W,脉冲频率为25 kHz,扫描速度为0.9 m/s,扫描次数为2.利用优选参数验证了制绒孔距对多晶硅片表面反射率的影响,并通过PC1D软件模拟出不同制绒硅片的开路电压和短路电流.结果表明,当孔距为30 μm时,多晶硅表面形成的孔最为紧密,形貌最好,其孔密度为1.17×105 counts·cm-2,表面反射率为6.95%,多晶硅电池光-电转化效率提升至18.45%.
激光技术、激光制绒、阵列孔、时域有限差分(FDTD)、多晶硅、反射率
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TN249(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金51505236
2018-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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