碳化硅封装高功率半导体激光器散热性能研究

摘要：

为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能,将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比,使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃·W-1,AlN的约为3.4℃·W-1,SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7％,实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能.实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16A连续电流注入时,915 nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W,AlN为15W,测试结果显示SiC封装的器件具有更高的功率输出水平.

关键词：激光器、半导体激光器、碳化硅、热阻、结构函数法、氮化铝

所属期刊栏目：45

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：7-11