充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响

摘要：

充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布,进而对薄膜的光学性能造成重要影响.为了研究充氧口位置对HfO2薄膜性质的影响,在2个典型的充氧口位置采用电子束蒸发技术在石英基底上沉积了HfO2单层膜,并结合紫外-可见光分光光度计和X射线光电子能谱仪研究了不同充氧口位置下制得的HfO2薄膜的光学性能和化学成分.实验结果表明,将充氧口设置在基片附近更有利于得到致密性好、氧化充分的HfO2薄膜.根据实际真空室的构造建立简化的模型,应用k-ε二次方程湍流模型对镀膜过程中的氧气分布进行了三维数值模拟计算.模拟计算的结果很好地解释了实验结果.

关键词：薄膜、HfO2薄膜、充氧口位置、k-ε模型、电子束蒸发、数值模拟

所属期刊栏目：43

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61308012

在线出版日期：2016-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：127-132