垂直腔面发射半导体激光器单管的光束质量研究
研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)单管器件光束质量,分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等的影响.使用有限元的方法对不同电极及不同氧化孔径时有源区中电流密度的分布进行了计算,为了获得高功率、高光束质量的VCSEL器件,选择氧化孔径为650 μm以及P面电极直径为580μm,在对电流进行有效限制的同时实现了有源区中电流密度的均匀分布,从而抑制远场光斑中边模的产生,改善了光束质量.
激光器、垂直腔面发射激光器、单管器件、光束质量
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
江苏省自然科学基金;江苏省产学研联合创新资金项目;苏州市医疗器械与新医药专项;苏州市医疗器械与新医药专项;吉林省-中国科学院省院合作项目
2015-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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