压电效应对LiNbO3集成光波导电场传感器频率特性的影响

摘要：

实验研究中发现LiNbO3集成光波导电场传感器的输出波形中叠加有频率在几百千赫兹左右的振荡信号,导致传感器探测到的电场信号发生畸变.从LiNbO3衬底的压电效应出发对这一谐振现象进行了理论分析.比较谐振频率的理论计算值和实际测量值得知,LiNbOa衬底的宽度是影响谐振的主要因素.针对一种用于雷电电磁脉冲测量的LiNbO3集成光波导电场传感器,其设计衬底宽度为3 mm,再次实验发现振荡信号被抑制在-30 dB以下.

关键词：传感器、铌酸锂、集成光学、电场传感器、压电效应

所属期刊栏目：41

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：128-132