AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

摘要：

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料.研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响.AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1680 cm2/Vs、方块电阻低至310 Ω,体现了HEMT材料良好的电学性能.原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面,较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率.

关键词：材料、AlN、高电子迁移率晶体管、电学性质、二维电子气、迁移率

所属期刊栏目：40

分类号：TN386;O782+.9(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176126,61006084,61204011;国家杰出青年科学基金60925017;北京市自然科学基金4102003,4112006资助课题

在线出版日期：2013-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：259-263