利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性

摘要：

研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响.根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量.原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷.同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果.

关键词：薄膜、快速退火、X射线衍射、氮化铟、掺杂、位错

所属期刊栏目：40

分类号：O474;TN304.2(半导体物理学)

资助基金：国家973计划2011CB301900,2012CB619304;国家863计划2011AA03A103;国家自然科学基金60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063;江苏省自然科学基金BK2008019,BK2011010,BK2010385,BK2009255,BK2010178资助课题

在线出版日期：2013-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：170-173