快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响
采用反应磁控溅射法制备二氧化钒( VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP).主要研究500℃快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化.在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性.结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上；THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9％.同时发现,热处理500℃,10 s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显.快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近.
薄膜、二氧化钒、快速热处理、太赫兹调制、相变
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O484;O433(固体物理学)
天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目08JCZDJC17500;集成光电子学国家重点实验室基金2010KFB001;教育部新教师基金20100032120029
2012-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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