GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法

摘要：

GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用.寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题.为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型.同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值.提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值.

关键词：光学器件、GaN、白光LED、发光二极管、老化、寿命

所属期刊栏目：38

分类号：O436(光学)

在线出版日期：2012-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：190-194