大功率高可靠性垂直腔面发射激光器阵列研究

摘要：

针对980 nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构.垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs,改善了效率随温度升高而降低的问题,同时又能满足长寿命激光工作的需要.周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益,降低了闭值,提高了输出功率.制作出新结构的集成单元数为4x4,单元直径30pm的阵列器件,工作电流为5.88A时连续激光功率达到2W;窄脉冲宽度1μs,重复频率100Hz,工作电流60A时输出功率达到30W,且均未达到饱和状态.此阵列器件在工作电流为1-4A时发散角半宽均小于16:°.利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试,推算出30℃的寿命可达5280h以上,并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)可靠性的主要因素.

关键词：激光器、垂直腔面发射激光器、阵列、可靠性

所属期刊栏目：38

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：59-64