超大数值孔径光刻中掩模保护膜优化及偏振像差研究
超大数值孔径(NA)光刻成像中,掩模保护膜上的入射光线入射角范围增大,用传统方法优化掩模保护膜难以增大斜入射光的透射率.基于薄膜光学原理提出一种新的掩模保护膜优化方法,确保光线在整个人射角范围内的平均透射率最大.利用琼斯矩阵方法探讨膜层的透射属性和相位特征,得到相应的琼斯光瞳来分析膜层带来的偏振像差.结果表明,对比传统的掩模保护膜优化方法,新方法能有效提高斜入射光线的透射率,减小膜层引起的偏振像差.新的掩模保护膜优化方法能为超大NA光刻成像的掩模保护膜设置提供必要的理论基础和技术支撑.
成像系统、偏振像差、超大数值孔径光刻、掩模保护膜、琼斯矩阵方法、薄膜光学
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TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金;引进人才科研启动基金;长沙学院光电信息技术创新团队科研基金
2011-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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